买卖IC网 >> 产品目录43560 >> STB36NM60N MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号：

STB36NM60N

库存数量：500
制造商：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STB36NM60N PDF下载
标准包装 1
系列 Mdmesh™ II
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 29A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 105 毫欧 @ 14.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 83.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2722pF @ 100V
功率 - 最大 210W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D²PAK
包装 剪切带 (CT)
其它名称 497-12972-1
相关资料
属性
链接
代理商 STB36NM60N
STB36NM60ND
STB38N65M5
STB3N62K3
STB3NB60T4
STB3NC60
供应商
公司名
电话
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深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
北京耐芯威科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市思诺康科技有限公司 0755-83286481 张小姐/Vivianvi
深圳市瑞斯特电子科技有限公司 0755-82550910 杨锐锋
牛保华 18020263256微信同号 牛保华
买卖ic网 15013635600 张仪
上海航霆电子技术有限公司 0755-83742594 小苏
  • STB36NM60N 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 13.728 13.728
    10 12.4584 124.584
    25 11.55168 288.792
    100 10.584 1058.4
    250 9.6768 2419.2
    500 9.01152 4505.76